Efectos del sputtering en los perfiles de concentración obtenidos por AES y ESCA en películas anódicas
- Sanz, José María
- José Manuel Martínez Duart Director
Universidade de defensa: Universidad Autónoma de Madrid
Fecha de defensa: 09 de xullo de 1982
- Fernando Agulló López Presidente/a
- José Manuel Martínez Duart Secretario/a
- José Luis Sánchez Gómez Vogal
- Fernando Rueda Sánchez Vogal
- Fernando Flores Sintas Vogal
Tipo: Tese
Resumo
Mediante bombardeo con iones de argon y metodos superficiales de analisis como aes y xps se obtuvieron perfiles de concentracion de nb2o5 ta2o5 t1o2 zro2 hfo2 al2o3 obtenidos anodicamente. En el caso nb2o5/nb y ta2o5/ta se obtuvieron resultados cuantitativos sobre la formacion composicion y espesor de la capa superficial dañada por el bombardeo con iones en funcion de la energia cinetica de estos. Excepto en el caso de al2o3 el resto de los oxidos sufren un proceso de reduccion a causa del sputtering preferencial de los atomos de oxigeno.