Efectos del sputtering en los perfiles de concentración obtenidos por AES y ESCA en películas anódicas

  1. Sanz, José María
Dirigida per:
  1. José Manuel Martínez Duart Director/a

Universitat de defensa: Universidad Autónoma de Madrid

Fecha de defensa: 09 de de juliol de 1982

Tribunal:
  1. Fernando Agulló López President/a
  2. José Manuel Martínez Duart Secretari/ària
  3. José Luis Sánchez Gómez Vocal
  4. Fernando Rueda Sánchez Vocal
  5. Fernando Flores Sintas Vocal

Tipus: Tesi

Teseo: 7577 DIALNET lock_openBiblos-e Archivo editor

Resum

Mediante bombardeo con iones de argon y metodos superficiales de analisis como aes y xps se obtuvieron perfiles de concentracion de nb2o5 ta2o5 t1o2 zro2 hfo2 al2o3 obtenidos anodicamente. En el caso nb2o5/nb y ta2o5/ta se obtuvieron resultados cuantitativos sobre la formacion composicion y espesor de la capa superficial dañada por el bombardeo con iones en funcion de la energia cinetica de estos. Excepto en el caso de al2o3 el resto de los oxidos sufren un proceso de reduccion a causa del sputtering preferencial de los atomos de oxigeno.