Lateral-superlattice effects in very narrow strained semiconductor quantum wells grown on vicinal surfaces

  1. Meseguer, F.
  2. Agulló-Rueda, F.
  3. López, C.
  4. Sánchez-Dehesa, J.
  5. Massies, J.
  6. Marti Ceschin, A.
Revista:
Physical Review B

ISSN: 0163-1829

Any de publicació: 1993

Volum: 47

Número: 20

Pàgines: 13880-13883

Tipus: Article

DOI: 10.1103/PHYSREVB.47.13880 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus